В декабре 2000 года Шведская королевская академия наук присудила Нобелевскую премию по физике россиянину Жоресу Алфёрову из Физико-технического института имени Иоффе в Санкт-Петербурге. Премию он разделил с немецко-американским учёным Гербертом Крёмером и американцем Джеком Килби — за разработку физики полупроводниковых гетероструктур, легших в основу современной опто- и микроэлектроники.
Ключевая трудность, которую решил Алфёров, заключалась в совмещении атомных слоёв двух разных веществ — своего рода «монокристалла с переменной структурой», в возможность создания которого мало кто верил. Учёный и его молодые сотрудники разработали технологию жидкофазной эпитаксии, позволившую сформировать переход между арсенидом галлия и его сплавом с алюминием.
По собственному признанию физика, советским учёным удалось опередить зарубежных конкурентов в этой гонке всего на месяц — разница, определившая, чьи имена войдут в историю открытия первыми.
Разработки на основе гетероструктур легли в основу быстродействующих транзисторов, полупроводниковых лазеров и интегральных схем — технологий, без которых немыслимы современные линии связи, проигрыватели дисков и вычислительная техника.
Идея, которую физики годами считали почти невыполнимой, в руках ленинградской школы Иоффе превратилась в фундамент целой технологической эпохи.